SIHB30N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHB30N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.39 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB30N60E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 24764 pcs | Scheda dati | SiHB30N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | SIHB30N60EGE3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
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- Parte#:
CMF5536K100BER670 - Produttori:
Dale / Vishay - Descrizione:
RES 36.1K OHM 1/2W .1% AXIAL - Disponibile:
183848