SIHB22N60S-E3
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| Numero di parte | SIHB22N60S-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB22N60S-E3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4491 pcs | Scheda dati | SiHB22N60S |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2810pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione | TO-263 (D²Pak) | Vgs (th) (max) a Id | 190 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22A (Tc) | Polarizzazione | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | SIHB22N60S-E3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | SIHB22N60S-E3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110nC @ 10V |
| Tipo IGBT | ±30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 600V | rapporto di capacità | 250W (Tc) |
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