SIHB22N65E-GE3
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| Numero di parte | SIHB22N65E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.032 | $1.814 | $1.488 | $1.205 | $1.016 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB22N65E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 38333 pcs | Scheda dati | SIHB22N65E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | SIHB22N65E-GE3CT SIHB22N65E-GE3CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2415pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
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