TPH7R006PL,L1Q
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| Numero di parte | TPH7R006PL,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.191 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH7R006PL,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 103556 pcs | Scheda dati | TPH7R006PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) | Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 81W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PLL1Q TPH7R006PLL1QTR |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1875pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 60A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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