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TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q
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Numero di parte TPH6400ENH,L1Q
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 70146 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TPH6400ENH,L1Q fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 70146 pcs Scheda dati TPH6400ENH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 300µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 64 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPH6400ENH,L1Q(M
TPH6400ENH,L1QTR
TPH6400ENH,L1QTR-ND
TPH6400ENHL1QTR		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)

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