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TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q
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Numero di parte TPH8R80ANH,L1Q
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 82151 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TPH8R80ANH,L1Q fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 82151 pcs Scheda dati TPH8R80ANH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 500µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 8.8 mOhm @ 16A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 61W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPH8R80ANH,L1Q(M
TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANHL1QTR		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)

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