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TPH8R903NL,LQ

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Numero di parte TPH8R903NL,LQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 151215 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte TPH8R903NL,LQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 20A 8SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 151215 pcs Scheda dati TPH8R903NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 8.9 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 24W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPH8R903NLLQCT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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