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TPH7R506NH,L1Q

TPH7R506NH,L1Q
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Numero di parte TPH7R506NH,L1Q
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 72023 pcs
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Numero di parte TPH7R506NH,L1Q fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 72023 pcs Scheda dati TPH7R506NH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 300µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5 mOhm @ 11A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 45W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPH7R506NHL1QCT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2320pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 22A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)

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