TPC8221-H,LQ(S
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| Numero di parte | TPC8221-H,LQ(S |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8221-H,LQ(S | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5904 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPC8221-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 100µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 3A, 10V | Potenza - Max | 450mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | TPC8221-HLQ(S TPC8221HLQS |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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