TPC8212-H(TE12LQ,M
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| Numero di parte | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8212-H(TE12LQ,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4224 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPC8212-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V | Potenza - Max | 450mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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