TPC8A06-H(TE12LQM)
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| Numero di parte | TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8A06-H(TE12LQM) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5437 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10.1 mOhm @ 6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | TPC8A06HTE12LQM | temperatura di esercizio | - |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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