TPC8208(TE12L,Q)
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| Numero di parte | TPC8208(TE12L,Q) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8208(TE12L,Q) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4826 pcs | Scheda dati | TPC8208Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 200µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V | Potenza - Max | 450mW |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Numero di parte base | TPC*208 |
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