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TPC8207(TE12L)

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Numero di parte TPC8207(TE12L)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5910 pcs
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Numero di parte TPC8207(TE12L) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5910 pcs Scheda dati TPC8207Mosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 4.8A, 4V Potenza - Max 450mW
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi TPC8207DKR
TPC8207TE12L
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Numero di parte base TPC*207

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