TPC8115(TE12L,Q,M)
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| Numero di parte | TPC8115(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8115(TE12L,Q,M) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4996 pcs | Scheda dati | TPC8115Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) | Serie | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10 mOhm @ 5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9130pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
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