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TPC8065-H,LQ(S

TPC8065-H,LQ(S
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Numero di parte TPC8065-H,LQ(S
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 113036 pcs
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Numero di parte TPC8065-H,LQ(S fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 113036 pcs Scheda dati TPC8065-HMosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Serie U-MOSVII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi TPC8065-HLQ(S
TPC8065HLQS
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)

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