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TPC8109(TE12L)

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Numero di parte TPC8109(TE12L)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 4807 pcs
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Numero di parte TPC8109(TE12L) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 4807 pcs Scheda dati TPC8109Mosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi TPC8109CT
TPC8109TE12L		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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