TPC8062-H,LQ(CM
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| Numero di parte | TPC8062-H,LQ(CM |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.331 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8062-H,LQ(CM | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 66299 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPC8062-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP | Serie | U-MOSVII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | TPC8062-HLQ(CM TPC8062HLQCM |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
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