TPC8129,LQ(S
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| Numero di parte | TPC8129,LQ(S |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.13 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8129,LQ(S | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 174317 pcs | Scheda dati | TPC8129Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 200µA |
| Vgs (Max) | +20V, -25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | TPC8129LQ(S TPC8129LQS |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
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