TPC8031-H(TE12LQM)
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| Numero di parte | TPC8031-H(TE12LQM) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8031-H(TE12LQM) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4256 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 11A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
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