HN1B04FE-GR,LF
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| Numero di parte | HN1B04FE-GR,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.118 | $0.106 | $0.077 | $0.06 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.037 | $0.032 | $0.022 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN1B04FE-GR,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1138468 pcs | Scheda dati | HN1B04FE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 100mW | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Altri nomi | HN1B04FE-GR(5LFTDKR HN1B04FE-GR(5LFTDKR-ND HN1B04FE-GRLF(TDKR HN1B04FE-GRLF(TDKR-ND HN1B04FE-GRLFDKR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 80MHz |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 150mA |
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