HN1A01FE-GR,LF
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| Numero di parte | HN1A01FE-GR,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.022 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN1A01FE-GR,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1167256 pcs | Scheda dati | HN1A01FE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 100mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Altri nomi | HN1A01FE-GR(5L,F,T HN1A01FE-GR(5LFTTR HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND HN1A01FE-GR,LF(B HN1A01FE-GR,LF(T HN1A01FE-GRLF(BTR HN1A01FE-GRLF(BTR-ND HN1A01FE-GRLFTR HN1A01FEGRLFTR HN1A01FEGRLFTR-ND |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 80MHz |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 150mA |
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