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HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F
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Numero di parte HN1B01F-GR(TE85L,F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4195 pcs
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Numero di parte HN1B01F-GR(TE85L,F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4195 pcs Scheda dati HN1B01F
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Tipo transistor NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore SM6 Serie -
Potenza - Max 300mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 Altri nomi HN1B01F-GR(TE85LFCT
temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 120MHz Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 300mW Surface Mount SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 150mA

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