HN1B04FU-GR,LF
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| Numero di parte | HN1B04FU-GR,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.021 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN1B04FU-GR,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1085941 pcs | Scheda dati | HN1B04FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 200mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Altri nomi | HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU-GR(LFT)TR HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND HN1B04FU-GR,LF(B HN1B04FU-GR,LF(T HN1B04FU-GRLF HN1B04FU-GRLF-ND HN1B04FU-GRLFT HN1B04FU-GRLFTR |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 150MHz |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 150mA |
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