HN1B04F(TE85L,F)
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| Numero di parte | HN1B04F(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN1B04F(TE85L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5586 pcs | Scheda dati | HN1B04F |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 30V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | SM6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 300mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-74, SOT-457 | Altri nomi | HN1B04F (TE85L,F) HN1B04F(TE85LF)TR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 200MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
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