UPA2812T1L-E2-AT
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| Numero di parte | UPA2812T1L-E2-AT |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2812T1L-E2-AT | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5185 pcs | Scheda dati | uPA2812T1L-E2-AT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-HWSON (3.3x3.3) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3740pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 30A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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