UPA2825T1S-E2-AT
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| Numero di parte | UPA2825T1S-E2-AT |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8HVSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.188 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2825T1S-E2-AT | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8HVSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 116736 pcs | Scheda dati | UPA2825T1S |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 24A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
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