UPA2816T1S-E2-AT
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| Numero di parte | UPA2816T1S-E2-AT |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.172 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2816T1S-E2-AT | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 131714 pcs | Scheda dati | uPA2816T1S-E2-AT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | +20V, -25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-HWSON (3.3x3.3) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 17A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
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