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UPA2765T1A-E2-AY

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Numero di parte UPA2765T1A-E2-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4144 pcs
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Numero di parte UPA2765T1A-E2-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4144 pcs Scheda dati UPA2765T1A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-HVSON (5.4x5.15) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.9 mOhm @ 32A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 83W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6550pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5.4x5.15) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)

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