UPA2766T1A-E2-AY
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| Numero di parte | UPA2766T1A-E2-AY |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2766T1A-E2-AY | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4305 pcs | Scheda dati | UPA2766T1A |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-HVSON (5.4x5.15) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.82 mOhm @ 39A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 83W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | UPA2766T1A-E2-AYCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10850pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 257nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 130A (Tc) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5.4x5.15) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
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