JAN1N5807US
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| Numero di parte | JAN1N5807US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.728 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N5807US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 10219 pcs | Scheda dati | 1N5807,09,11 US/URS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 875mV @ 4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 50V | Contenitore dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 30ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, B | Altri nomi | JAN1N5807US-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 50V 6A Surface Mount B, SQ-MELF | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5µA @ 50V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 6A | Capacità a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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