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JAN1N5816

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Numero di parte JAN1N5816
fabbricante Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5705 pcs
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Numero di parte JAN1N5816 fabbricante Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5705 pcs Scheda dati 1N5812(R), 14(R), 169(R)
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Picco inversa (max) Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 20A Tensione - Ripartizione DO-203AA (DO-4)
Serie MILITARY, MIL-PRF-19500/478 Stato RoHS Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Resistenza a If, F 300pF @ 10V, 1MHz
Polarizzazione DO-203AA, DO-4, Stud Altri nomi 1086-15839
1086-15839-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione 35ns Tipo montaggio Chassis, Stud Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) codice articolo del costruttore JAN1N5816
Descrizione espansione Diode Standard 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) Configurazione diodo 10µA @ 150V
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA Corrente - Dispersione inversa a Vr 950mV @ 20A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 150V Capacità a Vr, F -65°C ~ 175°C

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