JAN1N5814
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| Numero di parte | JAN1N5814 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N5814 | fabbricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5158 pcs | Scheda dati | 1N5812(R), 14(R), 169(R) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Picco inversa (max) | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 20A | Tensione - Ripartizione | DO-203AA (DO-4) |
| Serie | - | Stato RoHS | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistenza a If, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
| Polarizzazione | DO-203AA, DO-4, Stud | Altri nomi | 1086-15835 1086-15835-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 35ns | Tipo montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | JAN1N5814 |
| Descrizione espansione | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) | Configurazione diodo | 10µA @ 100V |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 950mV @ 20A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 100V | Capacità a Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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