JAN1N5804US
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| Numero di parte | JAN1N5804US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N5804US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5432 pcs | Scheda dati | 1N5802, 04US, 06US and URS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 975mV @ 2.5A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 100V | Contenitore dispositivo fornitore | D-5A |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 25ns | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, A | Altri nomi | 1086-2120 1086-2120-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 100V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 2.5A |
| Capacità a Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
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