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Numero di parte JAN1N5802US
fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
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Numero di parte JAN1N5802US fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 7748 pcs Scheda dati 1N5802, 04US, 06US and URS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 975mV @ 2.5A
Tensione - inversa (Vr) (max) 50V Contenitore dispositivo fornitore D-5A
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Tempo di ripristino inverso (trr) 25ns imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SQ-MELF, A Altri nomi 1086-2118
1086-2118-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount D-5A Corrente - Dispersione inversa a Vr 1µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io) 2.5A Capacità a Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz

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