SIZ700DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ700DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.253 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ700DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 91554 pcs | Scheda dati | SIZ700DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-PowerPair™ | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 2.36W, 2.8W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-PowerPair™ |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A |
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