SIZ328DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ328DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | $0.358 | $0.276 | $0.204 | $0.163 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ328DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 145388 pcs | Scheda dati | SIZ328DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V | Potenza - Max | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ328DT-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |
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