SIZ348DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ348DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.193 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ348DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 107037 pcs | Scheda dati | SIZ348DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.12 mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ348DT-GE3 SIZ348DT-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
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