SIZ350DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ350DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.477 | $0.424 | $0.335 | $0.26 | $0.205 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ350DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 100989 pcs | Scheda dati | SIZ350DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ350DT-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
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