SIZ200DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ200DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 30V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.172 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ200DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 30V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 120639 pcs | Scheda dati | SIZ200DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ200DT-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
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