SIHU3N50DA-GE3
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| Numero di parte | SIHU3N50DA-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.139 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHU3N50DA-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 139494 pcs | Scheda dati | SIHU3N50DA |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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