SIHU2N80E-GE3
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| Numero di parte | SIHU2N80E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.652 | $0.578 | $0.457 | $0.354 | $0.28 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHU2N80E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 79901 pcs | Scheda dati | SIHU2N80E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.75 Ohm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
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