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SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3
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Numero di parte SIHP8N50D-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 90480 pcs
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Numero di parte SIHP8N50D-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 90480 pcs Scheda dati Packaging InformationSIHP8N50DTO-220AB Package Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 8.7A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)

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