SIHW30N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHW30N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.668 | $2.402 | $1.975 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHW30N60E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 18967 pcs | Scheda dati | SiHW30N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247AD | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3 Full Pack |
| Altri nomi | SIHW30N60E-GE3CT SIHW30N60E-GE3CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
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