SIHU7N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHU7N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.33 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHU7N60E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 57245 pcs | Scheda dati | SiHU7N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | SIHU7N60EGE3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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- Parte#:
M39003/09-2038/HSD - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
CAP TANT 39UF 5% 20V AXIAL - Disponibile:
1593