SIA477EDJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA477EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.071 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA477EDJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 306967 pcs | Scheda dati | SiA477EDJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 | Altri nomi | SIA477EDJ-T1-GE3-ND SIA477EDJ-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 6V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 8V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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