SIA485DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA485DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.079 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA485DJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 259373 pcs | Scheda dati | SIA485DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 15.6W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi | SIA485DJ-T1-GE3-ND SIA485DJ-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 75V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
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- Parte#:
SS3P4HM3/85A - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-220AA - Disponibile:
422250