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SIA467EDJ-T1-GE3

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Numero di parte SIA467EDJ-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 222128 pcs
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Numero di parte SIA467EDJ-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 222128 pcs Scheda dati SIA467EDJ
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 13 mOhm @ 5A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6
Altri nomi SIA467EDJ-T1-GE3TR temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 8V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 12V Descrizione dettagliata P-Channel 12V 31A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)

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