SIA456DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA456DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.156 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA456DJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 146650 pcs | Scheda dati | SIA456DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi | SIA456DJ-T1-GE3TR SIA456DJT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
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- Parte#:
RC2012F3740CS - Produttori:
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. - Descrizione:
RES SMD 374 OHM 1% 1/8W 0805 - Disponibile:
6361687