SIA466EDJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA466EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.103 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA466EDJ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 212535 pcs | Scheda dati | SIA466EDJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi | SIA466EDJ-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 1V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 25A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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