SI5513CDC-T1-E3
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| Numero di parte | SI5513CDC-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.278 | $0.234 | $0.175 | $0.129 | $0.099 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5513CDC-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 203275 pcs | Scheda dati | SI5513CDC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Potenza - Max | 3.1W | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead | Altri nomi | SI5513CDC-T1-E3DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.7A |
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